磁隧道二极管和磁隧道晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680060273.2

申请日：

2016-10-28

公开(公告)号：

CN108352446B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

埃斯奥·萨斯奥古鲁斯特芬·布鲁格尔

申请人：

申请人地址：

德国于利希市，威廉·约翰大街，邮编52428

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4310 H01L2966

代理机构：

北京市领专知识产权代理有限公司 11590

代理人：

林辉轮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20161028
2021-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管 [P].

温振超 ;

陶丙山 ;

袁忠辉 ;

姜丽仙 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN106328805A ,2017-01-11

[2]

二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管 [P].

V·K·沙马 .

中国专利 :CN210866189U ,2020-06-26

[3]

基于隧道二极管的窄脉冲发生电路 [P].

张杨锴 ;

李青 ;

童仁园 ;

王燕杰 ;

曹波 .

中国专利 :CN105049009A ,2015-11-11

[4]

有几个稳定开关状态的隧道二极管 [P].

R·M·沃尔夫 ;

P·W·M·布罗姆 ;

M·P·C·M·克里恩 .

中国专利 :CN1109639A ,1995-10-04

[5]

大功率软恢复隧道二极管SPBD管芯结构 [P].

张清纯 ;

张斌 ;

陈永麒 ;

王均平 .

中国专利 :CN1173046A ,1998-02-11

[6]

包括晶体管和二极管的电路及装置 [P].

L·奈特 ;

R·莱特 ;

D·萨默兰德 .

中国专利 :CN114450889A ,2022-05-06

[7]

二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法 [P].

汲田昌弘 ;

铃木克己 ;

荒内琢司 ;

斋藤顺 .

日本专利 :CN118380457A ,2024-07-23

[8]

具有集成源极-漏极二极管的晶体管 [P].

A·巴拉 ;

L·弗尔森 .

美国专利 :CN118280987A ,2024-07-02

[9]

薄膜晶体管和场效应二极管 [P].

杜小龙 ;

张永晖 ;

梅增霞 ;

梁会力 .

中国专利 :CN207925480U ,2018-09-28

[10]

薄膜晶体管和场效应二极管 [P].

杜小龙 ;

张永晖 ;

梅增霞 ;

梁会力 .

中国专利 :CN109427912B ,2024-07-05

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