离子传导体的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201780006992.0
申请日
2017-01-13
公开(公告)号
CN108475565A
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
岛田昌宏 伊藤智裕 香取亚希 宇根本笃 折茂慎一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01B1300
IPC分类号
H01B106 H01M100562
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
离子传导体 [P]. 
高明天 ;
山内昭佳 .
中国专利 :CN101040350A ,2007-09-19
[2]
离子传导体、蓄电装置和离子传导体的制造方法 [P]. 
近藤彩子 ;
狮子原大介 ;
竹内雄基 ;
宫本卓 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN113439311A ,2021-09-24
[3]
离子传导体 [P]. 
高明天 ;
山内昭佳 ;
横谷幸治 .
中国专利 :CN101331556A ,2008-12-24
[4]
锂离子传导体、锂离子电池和锂离子传导体的制造方法 [P]. 
南圭一 .
日本专利 :CN119384703A ,2025-01-28
[5]
碱金属离子传导体、碱金属离子电池和碱金属离子传导体的制造方法 [P]. 
南圭一 .
日本专利 :CN119072811A ,2024-12-03
[6]
固体离子传导体及使用固体离子传导体的电化学装置及其制造方法 [P]. 
羽根友子 ;
清原章夫 .
中国专利 :CN101730916B ,2010-06-09
[7]
传导体 [P]. 
朱德祥 .
中国专利 :CN201838745U ,2011-05-18
[8]
离子传导体和锂电池 [P]. 
狮子原大介 ;
竹内雄基 ;
近藤彩子 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN111868840B ,2020-10-30
[9]
固体形状镁离子传导体以及使用该镁离子传导体的二次电池 [P]. 
矢部裕城 .
中国专利 :CN110880617A ,2020-03-13
[10]
离子传导体和蓄电设备 [P]. 
竹内雄基 ;
打田真人 ;
伊贺悠太 ;
狮子原大介 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN112088409A ,2020-12-15