一种近红外闪烁晶体及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110582522.7

申请日：

2021-05-27

公开(公告)号：

CN113293436A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

魏钦华杨洁男秦来顺

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1102 C30B1500 G01T1202

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种近红外闪烁晶体及其制备方法 [P].

李延彬 ;

周玉环 ;

周天元 ;

周春鸣 ;

张洪浩 ;

张乐 .

中国专利 :CN119507042A ,2025-02-25

[2]

铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

李阳 ;

李帅 ;

吴凯进 ;

高泽亮 ;

付秀伟 .

中国专利 :CN120889031A ,2025-11-04

[3]

一种闪烁晶体及其制备方法与应用 [P].

唐华纯 ;

李中波 ;

张亮 .

中国专利 :CN111593405A ,2020-08-28

[4]

一种多组分近红外卤化物闪烁晶体 [P].

魏钦华 ;

舒昶 ;

秦来顺 ;

尹航 ;

唐高 ;

张素银 .

中国专利 :CN117603690A ,2024-02-27

[5]

一种近红外发光金属卤化物闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

吴云涛 ;

成双良 ;

闻学敏 .

中国专利 :CN115506007B ,2024-07-09

[6]

一种近红外发光金属卤化物闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

吴云涛 ;

成双良 ;

闻学敏 .

中国专利 :CN115506007A ,2022-12-23

[7]

闪烁晶体及其制造方法和应用 [P].

P·多伦波斯 ;

C·W·E·范埃克 ;

H·－U·格德尔 ;

K·W·克雷默 ;

E·V·D·范格夫 .

中国专利 :CN100413939C ,2003-03-19

[8]

闪烁晶体及其制造方法和应用 [P].

P·多伦波斯 ;

C·W·E·范埃克 ;

H·－U·格德尔 ;

K·W·克雷默 ;

E·V·D·范洛夫 .

中国专利 :CN1404523A ,2003-03-19

[9]

闪烁晶体封装方法、闪烁晶体封装结构及其应用 [P].

魏建德 ;

佘建军 ;

方声浩 ;

叶宁 ;

张志诚 .

中国专利 :CN109459782A ,2019-03-12

[10]

一种闪烁晶体块及其制备方法、闪烁晶体探测器 [P].

徐保伟 ;

梁国栋 ;

李楠 ;

吴国城 ;

赵健 .

中国专利 :CN105403907A ,2016-03-16

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