提高钇钡铜氧超导体临界电流密度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97100759.4

申请日：

1997-02-21

公开(公告)号：

CN1066422C

公开(公告)日：

1998-08-26

发明(设计)人：

任洪涛肖玲焦玉磊李际周

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

代理机构：

北京市第三专利代理事务所

代理人：

母宗绪

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101709170419 IPC(主分类):C04B 35/00 专利号:ZL971007594 申请日:19970221 授权公告日:20010530 终止日期:无
1998-08-26	公开	公开
1999-01-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2001-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法 [P].

王文涛 ;

赵勇 ;

蒲明华 ;

师晓燕 ;

王伟 .

中国专利 :CN101456726B ,2009-06-17

[2]

一种微型球体钇钡铜氧高温超导体磨削方法 [P].

张振宇 ;

刘冬冬 ;

崔俊峰 ;

陈雷雷 .

中国专利 :CN110116348A ,2019-08-13

[3]

一种制备单相钡钇铜氧超导体的方法 [P].

车广灿 ;

杜玉扣 ;

贾顺莲 ;

赵忠贤 .

中国专利 :CN1107250A ,1995-08-23

[4]

一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 [P].

王雷 ;

马衍伟 ;

齐彦鹏 ;

王栋樑 ;

张志宇 ;

高召顺 ;

张现平 .

中国专利 :CN101707089A ,2010-05-12

[5]

一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 [P].

高召顺 ;

马衍伟 ;

王雷 ;

姚超 ;

齐彦鹏 ;

王春雷 ;

张现平 ;

王栋樑 .

中国专利 :CN102412017A ,2012-04-11

[6]

混合稀土-钡-铜-氧超导体 [P].

潘树明 ;

孟新铭 ;

韩宝珩 ;

谭保凤 .

中国专利 :CN1017385B ,1989-01-18

[7]

一种制备高临界电流密度钆钡铜氧超导薄膜的方法 [P].

王文涛 ;

赵勇 ;

杨新福 ;

蒲明华 ;

张勇 .

中国专利 :CN102442822A ,2012-05-09

[8]

长寿命的钇系、混合稀土－钡－铜－氧超导体 [P].

潘树明 .

中国专利 :CN1254169A ,2000-05-24

[9]

具有高临界电流密度的MgB2基超导体及其制造方法 [P].

赵勇 ;

冯勇 ;

吴源 ;

町敬人 ;

札本安识 ;

腰塚直己 ;

村上雅人 .

中国专利 :CN1212973C ,2003-12-24

[10]

一种钇钡铜氧超导粉末的制备方法 [P].

杜泽华 ;

周廉 ;

冯勇 ;

张翠萍 ;

杨万民 ;

于泽民 ;

汪京荣 ;

吴晓祖 .

中国专利 :CN1072627C ,1999-03-03

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