一种氧化钨纳米线材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810103880.X

申请日：

2008-04-11

公开(公告)号：

CN101311367B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

唐子龙徐宇兴张中太

申请人：

申请人地址：

100084 北京市100084-82信箱

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2962 C01G4102

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-26	公开	公开
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-29	授权	授权
2016-06-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101663114687 IPC(主分类):C30B 29/16 专利号:ZL200810103880X 申请日:20080411 授权公告日:20110629 终止日期:20150411

共 50 条

[1]

一种氧化钨纳米线及其制备方法 [P].

曹仕秀 ;

彭玲玲 ;

韩涛 .

中国专利 :CN106745277A ,2017-05-31

[2]

一种钨纳米线材料及其制备方法 [P].

燕青芝 ;

夏敏 ;

郎少庭 ;

葛昌纯 .

中国专利 :CN103231073A ,2013-08-07

[3]

一种三氧化钨半导体纳米线材料及制备方法 [P].

刘伟洪 .

中国专利 :CN119038607A ,2024-11-29

[4]

一种氧化钨纳米线与多孔碳纳米复合结构材料及其制备方法 [P].

陈文 ;

龙曦 ;

赵春霞 ;

周静 ;

朱泉峣 ;

孙华君 ;

刘曰利 ;

宋彦宝 .

中国专利 :CN101913597A ,2010-12-15

[5]

一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法 [P].

唐子龙 ;

徐宇兴 ;

张中太 .

中国专利 :CN101318704A ,2008-12-10

[6]

一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法 [P].

唐子龙 ;

徐宇兴 ;

张中太 .

中国专利 :CN101318703A ,2008-12-10

[7]

一种氧化钨量子点和氧化钨纳米线的同时制备方法 [P].

许元红 ;

刘敬权 ;

王耀 ;

王晓霞 .

中国专利 :CN107055618A ,2017-08-18

[8]

一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法 [P].

谢伟广 ;

余冰 ;

罗志 ;

王思媛 ;

陈科球 ;

时婷婷 ;

刘彭义 .

中国专利 :CN109809490A ,2019-05-28

[9]

一种低温制备氧化钨纳米线的方法 [P].

魏昂 ;

刘雁军 .

中国专利 :CN104085929B ,2014-10-08

[10]

一种蓝色氧化钨纳米线的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107572589A ,2018-01-12

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