一种提高GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310008822.X

申请日：

2013-01-10

公开(公告)号：

CN103066174A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

李刚郭丽彬

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461527827 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201310008822X 申请日:20130110
2013-04-24	公开	公开
2015-11-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724340487 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201310008822X 申请公布日:20130424

共 50 条

[1]

一种提高LED发光效率的外延生长方法 [P].

郭丽彬 ;

徐海龙 ;

蒋利民 ;

杨奎 ;

许冬冬 .

中国专利 :CN103730552B ,2014-04-16

[2]

一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法 [P].

郭丽彬 ;

牛勇 ;

李刚 ;

刘仁锁 .

中国专利 :CN103325896A ,2013-09-25

[3]

一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法 [P].

李永 ;

王耀国 ;

钟尹泰 .

中国专利 :CN102903808A ,2013-01-30

[4]

一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法 [P].

逯瑶 ;

曲爽 ;

王成新 ;

张义 ;

田龙敬 .

中国专利 :CN104716236B ,2015-06-17

[5]

提高紫光LED发光效率的外延结构及其生长方法 [P].

吴礼清 ;

程斌 .

中国专利 :CN107369744A ,2017-11-21

[6]

一种提高GaN基LED发光效率的外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN108365063A ,2018-08-03

[7]

一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法 [P].

郭丽彬 ;

蒋利民 ;

刘仁锁 ;

杨奎 ;

吴礼清 .

中国专利 :CN103247729A ,2013-08-14

[8]

一种提高LED发光效率的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104332544A ,2015-02-04

[9]

提高LED发光效率的外延生长方法 [P].

夏玺华 ;

徐平 .

中国专利 :CN105895753B ,2016-08-24

[10]

一种提高发光效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

王杰 ;

谢鹏杰 .

中国专利 :CN112420883A ,2021-02-26

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