工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111219963.7

申请日：

2021-10-20

公开(公告)号：

CN113972154A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

迟文凯王勇飞

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L21677 H01L21683

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20211020
2022-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P].

王勇飞 ;

佘清 ;

兰云峰 .

中国专利 :CN113718229A ,2021-11-30

[2]

半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P].

王勇飞 ;

侯珏 ;

兰云峰 ;

王洪彪 ;

武树波 .

中国专利 :CN119340236A ,2025-01-21

[3]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

文莉辉 .

中国专利 :CN113437012A ,2021-09-24

[4]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

陈兆滨 .

中国专利 :CN114361000A ,2022-04-15

[5]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

王福金 ;

蔡志辉 .

中国专利 :CN216738518U ,2022-06-14

[6]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

于宸崎 .

中国专利 :CN221201076U ,2024-06-21

[7]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

陈兆滨 .

中国专利 :CN114361000B ,2024-04-16

[8]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

杨延铭 ;

茅兴飞 ;

王伟 ;

李岩 ;

杨纪鹏 ;

程超杰 ;

王英杰 ;

廖凤英 ;

姚卫杰 .

中国专利 :CN119361480B ,2025-12-12

[9]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

庞锟锋 ;

俞振铎 ;

任西鹏 ;

邓斌 ;

边国栋 .

中国专利 :CN121023438A ,2025-11-28

[10]

半导体工艺腔室和半导体工艺设备 [P].

陈路路 ;

赵海洋 .

中国专利 :CN119061384B ,2025-11-11

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