背面照射型光电二极管阵列及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03810502.0

申请日：

2003-05-09

公开(公告)号：

CN1653617A

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

藤井义磨郎冈本浩二坂本明

申请人：

申请人地址：

日本国静冈县

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳;邸万杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-05-14	授权	授权
2005-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

光电二极管阵列及其制造方法 [P].

柴山胜己 .

中国专利 :CN100399570C ,2005-10-19

[2]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334198A ,2012-01-25

[3]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN103606588A ,2014-02-26

[4]

光电二极管阵列 [P].

山中辰己 ;

坂本明 ;

细川畅郎 .

中国专利 :CN104685631A ,2015-06-03

[5]

光电二极管阵列 [P].

山中辰己 ;

坂本明 ;

细川畅郎 .

中国专利 :CN104685630A ,2015-06-03

[6]

光电二极管阵列 [P].

里健一 ;

山村和久 ;

大须贺慎二 .

中国专利 :CN103190000B ,2013-07-03

[7]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN104201219A ,2014-12-10

[8]

光电二极管以及光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

坂本明 ;

永野辉昌 ;

石川嘉隆 ;

河合哲 .

中国专利 :CN102334199B ,2012-01-25

[9]

背面入射型光电二极管阵列、其制造方法以及半导体装置 [P].

柴山胜己 ;

石田雅之 ;

能野隆文 .

中国专利 :CN100446261C ,2005-12-28

[10]

光电二极管阵列 [P].

山村和久 ;

里健一 .

中国专利 :CN101484999A ,2009-07-15

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