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一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811012909.3
申请日
:
2018-08-31
公开(公告)号
:
CN109273569B
公开(公告)日
:
2019-01-25
发明(设计)人
:
葛永晖
郭炳磊
曹阳
吕蒙普
胡加辉
李鹏
申请人
:
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
:
H01L3314
IPC分类号
:
H01L3332
H01L3300
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
徐立
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-25
公开
公开
2019-02-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20180831
2021-10-08
授权
授权
共 50 条
[1]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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葛永晖
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郭炳磊
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吕蒙普
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胡加辉
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胡加辉
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李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109473525B
,2019-03-15
[2]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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葛永晖
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郭炳磊
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李鹏
.
中国专利
:CN109860359B
,2019-06-07
[3]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
刘旺平
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刘旺平
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乔楠
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李鹏
.
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:CN109786529B
,2019-05-21
[4]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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郭炳磊
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李鹏
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中国专利
:CN109256445A
,2019-01-22
[5]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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中国专利
:CN109686823B
,2019-04-26
[6]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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中国专利
:CN109301040A
,2019-02-01
[7]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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葛永晖
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李鹏
.
中国专利
:CN109273568B
,2019-01-25
[8]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
郭炳磊
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李鹏
.
中国专利
:CN109192831A
,2019-01-11
[9]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
王群
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李鹏
.
中国专利
:CN109273571B
,2019-01-25
[10]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
[P].
葛永晖
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李鹏
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中国专利
:CN109360872B
,2019-02-19
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