IGBT功率器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911183421.1
申请日
2019-11-27
公开(公告)号
CN112864234B
公开(公告)日
2021-05-28
发明(设计)人
龚轶 刘磊 刘伟 袁愿林 王鑫
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
IPC主分类号
H01L29423
IPC分类号
H01L29417 H01L29739 H01L2706
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
孟金喆
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
IGBT功率器件 [P]. 
刘伟 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
毛振东 .
中国专利 :CN110970497A ,2020-04-07
[2]
IGBT功率器件 [P]. 
田永革 ;
刘杰 .
中国专利 :CN215220693U ,2021-12-17
[3]
IGBT功率器件 [P]. 
田永革 ;
刘杰 .
中国专利 :CN113270374A ,2021-08-17
[4]
IGBT器件 [P]. 
龚轶 ;
王睿 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
王鑫 .
中国专利 :CN113748520B ,2021-12-03
[5]
高压IGBT功率器件 [P]. 
陈尧 ;
王友强 ;
廖光朝 .
中国专利 :CN309449254S ,2025-08-19
[6]
一种IGBT功率器件 [P]. 
刘磊 ;
刘伟 ;
毛振东 ;
袁愿林 .
中国专利 :CN110970496A ,2020-04-07
[7]
一种IGBT功率器件 [P]. 
刘伟 ;
龚轶 ;
刘磊 ;
袁愿林 .
中国专利 :CN109755303A ,2019-05-14
[8]
功率器件IGBT [P]. 
屈志军 ;
张景超 ;
赵善麒 ;
戚丽娜 ;
林茂 ;
井亚会 .
中国专利 :CN212783458U ,2021-03-23
[9]
一种IGBT功率器件制备方法和IGBT功率器件 [P]. 
卓宁泽 ;
傅玥 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN120614839A ,2025-09-09
[10]
IGBT功率器件及其壳体 [P]. 
田永革 ;
刘杰 .
中国专利 :CN215220692U ,2021-12-17