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磁存储单元的制作方法及存储器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311669686.9
申请日：
2023-12-07
公开(公告)号：
CN117377375A
公开(公告)日：
2024-01-09
发明(设计)人：
李云鹏 刘宏喜 曹凯华 王戈飞
申请人：
致真存储（北京）科技有限公司
申请人地址：
100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
IPC主分类号：
H10N50/01
IPC分类号：
H10B61/00 H10N50/10
代理机构：
北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878
代理人：
徐芬
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-01-09 公开 公开
2024-01-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/01申请日:20231207
2024-03-22 授权 授权
共 50 条
[1]
磁存储单元的制作方法及存储器 [P]. 
李云鹏 ;
刘宏喜 ;
曹凯华 ;
王戈飞 .
中国专利 :CN117377375B ,2024-03-22
[2]
存储单元、存储器、芯片和存储单元制作方法 [P]. 
张松 ;
周耀辉 ;
刘群 ;
李珉澄 ;
王德进 ;
邹敏 .
中国专利 :CN120224688A ,2025-06-27
[3]
存储单元、存储器及其制作方法 [P]. 
吴公一 ;
王晓玲 .
中国专利 :CN114284270A ,2022-04-05
[4]
存储单元、存储器及其制作方法 [P]. 
吴公一 ;
王晓玲 .
中国专利 :CN114284270B ,2024-07-12
[5]
存储单元、存储器及其制作方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN120129230A ,2025-06-10
[6]
存储单元、存储器及其制作方法 [P]. 
王景皓 .
中国专利 :CN118201357B ,2025-11-07
[7]
存储单元、存储器及其制作方法 [P]. 
王景皓 .
中国专利 :CN118201357A ,2024-06-14
[8]
相变存储器存储单元的制作方法 [P]. 
张翼英 ;
洪中山 ;
廖映雪 ;
余磊 .
中国专利 :CN102194993B ,2011-09-21
[9]
电阻存储器存储单元的制作方法 [P]. 
洪中山 ;
何永根 .
中国专利 :CN102299258A ,2011-12-28
[10]
相变存储器存储单元的制作方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN102315385A ,2012-01-11
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