一种有机磁性纳米颗粒层人工突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311808847.8

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN118019357A

公开(公告)日：

2024-05-10

发明(设计)人：

方梅古子洋肖柱李周李珂铭吴彤

申请人：

中南大学

申请人地址：

410000 湖南省长沙市岳麓山左家垅

IPC主分类号：

H10K10/10

IPC分类号：

H10K10/82 H10K71/16 H10K71/60 H10N50/10 H10N50/80 H10N50/01 B82Y30/00

代理机构：

重庆壹手知专利代理事务所(普通合伙) 50267

代理人：

陈进宝

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	公开	公开
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/10申请日:20231226

共 50 条

[1]

一种全光控人工突触器件及其制备方法 [P].

王中强 ;

孟令鑫 ;

林亚 ;

王强 ;

王泽尉 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN121013642A ,2025-11-25

[2]

人工突触器件和人工突触器件的制备方法 [P].

张珽 ;

陆骐峰 ;

孙富钦 ;

王子豪 .

中国专利 :CN112794279A ,2021-05-14

[3]

离子插层的人工突触器件及其制备方法 [P].

张跃 ;

苏兆洋 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

刘菁筱 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN118382350A ,2024-07-23

[4]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131A ,2022-06-07

[5]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131B ,2025-04-22

[6]

一种柔性人工突触器件及其制备方法 [P].

唐振华 ;

张莉 ;

胡松程 ;

姚帝杰 ;

刘志钢 .

中国专利 :CN113161481A ,2021-07-23

[7]

一种光控人工突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

王中强 ;

单旋宇 ;

付申成 ;

张昕彤 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN115132919A ,2022-09-30

[8]

一种光控人工突触器件及其制备方法 [P].

刘益春 ;

王中强 ;

单旋宇 ;

付申成 ;

张昕彤 ;

徐海阳 .

中国专利 :CN115132919B ,2025-04-29

[9]

一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件及制备方法 [P].

杨彦斌 ;

申栗繁 .

中国专利 :CN118099264A ,2024-05-28

[10]

一种磁性纳米颗粒及其制备方法 [P].

瞿欢欢 ;

徐炜政 ;

黄学英 .

中国专利 :CN103065753A ,2013-04-24

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