离子阱质谱仪质量精度校准方法、装置、电子设备及介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410301155.2

申请日：

2024-03-15

公开(公告)号：

CN117995645A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

唐飞艾嘉文万述喜赵伟泽

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01J49/00

IPC分类号：

H01J49/26

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

黄德海

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-07	公开	公开
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 49/00申请日:20240315

共 50 条

[1]

离子阱质谱仪的离子隔离方法、系统及介质 [P].

薛兵 ;

孙露露 ;

路同山 ;

胡波 ;

唐朝阳 ;

王玉涵 ;

罗勇 ;

李飞 ;

陈延龙 .

中国专利 :CN114388334A ,2022-04-22

[2]

离子阱芯片参数修正方法及装置、电子设备和介质 [P].

黄晨 ;

汪景波 .

中国专利 :CN117454997A ,2024-01-26

[3]

离子阱芯片参数修正方法及装置、电子设备和介质 [P].

黄晨 ;

汪景波 .

中国专利 :CN117454997B ,2025-02-11

[4]

多级串联离子阱质谱仪、阵列、控制方法、设备及介质 [P].

唐飞 ;

艾嘉文 ;

赵伟泽 ;

万述喜 .

中国专利 :CN118443771A ,2024-08-06

[5]

校准方法、校准装置、电子设备、校准设备及介质 [P].

贺斌 ;

罗泉 .

中国专利 :CN119374714A ,2025-01-28

[6]

校准方法、校准装置、介质及电子设备 [P].

陈东尧 ;

罗庆 ;

王新兵 ;

周成虎 .

中国专利 :CN117849690A ,2024-04-09

[7]

充电精度校准方法及电子设备 [P].

张友军 ;

王丰 .

中国专利 :CN113364067B ,2021-09-07

[8]

时间精度校准方法、装置和电子设备 [P].

侯昌韬 ;

张超 .

中国专利 :CN111580074A ,2020-08-25

[9]

离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质 [P].

汪景波 ;

黄晨 .

中国专利 :CN117494829B ,2024-11-26

[10]

离子阱芯片参数确定方法及装置、电子设备和介质 [P].

汪景波 ;

黄晨 .

中国专利 :CN117371547B ,2024-08-27

← 1 2 3 4 5 →