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一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311553813.9
申请日：
2023-11-21
公开(公告)号：
CN117566694A
公开(公告)日：
2024-02-20
发明(设计)人：
黄兴 杨顺航 李倩
申请人：
福州大学 清源创新实验室
申请人地址：
350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
IPC主分类号：
C01B19/00
IPC分类号：
代理机构：
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人：
彭琴;蔡学俊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
福建省 泉州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 19/00申请日:20231121
2025-11-07 授权 授权
2024-02-20 公开 公开
共 50 条
[1]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694B ,2025-11-07
[2]
一种单晶六方[111]取向的CdSe<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
王慧 ;
杨顺航 ;
林森 .
中国专利 :CN118727137A ,2024-10-01
[3]
一种二维单晶GaS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>纳米片的制备方法及应用 [P]. 
陈鹏 ;
张腊梅 ;
乔方卿銮 ;
商继敏 ;
李子炯 .
中国专利 :CN117966276A ,2024-05-03
[4]
一种低维碲化物掺杂的单晶Ag<sub>2</sub>Te<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>的CVD生长方法 [P]. 
陈舒 ;
朱亦鸣 ;
程震豪 ;
万闻 ;
董闫吴 ;
杨晓宇 .
中国专利 :CN120465099A ,2025-08-12
[5]
一种Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>/TiO<sub>2</sub>二维纳米片材料及其制备方法与应用 [P]. 
朱阳光 ;
林正得 ;
江南 ;
叶辰 ;
田麒琛 .
中国专利 :CN116037179B ,2025-01-21
[6]
一种孔状BiOCl<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Brx/BiOBr<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Cl<sub>x</sub>纳米片的制备方法及其应用 [P]. 
崔占奎 ;
李祥民 ;
周领 ;
法文君 ;
何伟伟 .
中国专利 :CN120483249A ,2025-08-15
[7]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P]. 
吴金雄 ;
陈婉莹 ;
何育彧 .
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[8]
一种超薄二维As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>纳米片、制备方法、应用 [P]. 
张静怡 ;
王秀秀 ;
秦粤 ;
魏炜 ;
赵劲 .
中国专利 :CN117800293B ,2025-08-19
[9]
一种超薄二维As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>纳米片、制备方法、应用 [P]. 
张静怡 ;
王秀秀 ;
秦粤 ;
魏炜 ;
赵劲 .
中国专利 :CN117800293A ,2024-04-02
[10]
一种α-Al<sub>2</sub>Mo<sub>3</sub>O<sub>12</sub>纳米片及其制备方法和应用 [P]. 
黄寒 ;
白金栋 ;
欧阳方平 ;
王跃东 .
中国专利 :CN119776988A ,2025-04-08
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