发明(设计)人:
田健
薛艳君
王鑫宇
安杉娜
崔洪芝
申请人地址:
266590 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号
IPC分类号:
B01J37/08
C01C1/08
代理机构:
济南圣达知识产权代理有限公司 37221
共 50 条
[1]
一种含三配位氮空位氮化碳纳米材料的制备方法
[P].
李婧
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
西安工程大学
西安工程大学
李婧
;
薛周利
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
西安工程大学
西安工程大学
薛周利
;
潘玖存
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
西安工程大学
西安工程大学
潘玖存
;
田天
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
西安工程大学
西安工程大学
田天
.
中国专利 :CN117680178A ,2024-03-12 [4]
一种具有二配位氮空位的氮化碳材料及其制备方法和应用
[P].
刘乐全
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
天津大学
天津大学
刘乐全
;
张琪琪
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
天津大学
天津大学
张琪琪
;
姜韶堃
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
天津大学
天津大学
姜韶堃
.
中国专利 :CN114132905B ,2024-05-14 [6]
一种具有室温铁磁性的边缘氮空位氮化碳及其制备方法和应用
[P].
杨定怡
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
杨定怡
;
罗垚
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
罗垚
;
吴亦章
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
吴亦章
;
中国专利 :CN119430095A ,2025-02-14