半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980051080.4
申请日
2019-08-20
公开(公告)号
CN112514063B
公开(公告)日
2024-04-09
发明(设计)人
R·T·豪斯利 周建明
申请人
美光科技公司
申请人地址
美国爱达荷州
IPC主分类号
H01L23/544
IPC分类号
H01L21/027 H01L21/56 H01L25/065 H10B80/00 H01L21/67 H01L21/68
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
王龙
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装 [P]. 
R·T·豪斯利 ;
周建明 .
中国专利 :CN112514063A ,2021-03-16
[2]
具有对准标记的半导体结构 [P]. 
邓国贵 ;
贺开庭 .
中国专利 :CN205452279U ,2016-08-10
[3]
具有对准标记的半导体结构 [P]. 
贺开庭 ;
邓国贵 .
中国专利 :CN205452277U ,2016-08-10
[4]
具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法 [P]. 
王盈盈 .
中国专利 :CN101986427A ,2011-03-16
[5]
光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片 [P]. 
杨晓松 ;
严轶博 ;
卢子轩 .
中国专利 :CN103019052A ,2013-04-03
[6]
具有对准标记的半导体器件以及显示设备 [P]. 
堀井秀明 .
中国专利 :CN101192596B ,2008-06-04
[7]
对准标记及半导体结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111665689A ,2020-09-15
[8]
对准标记及半导体结构 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN111665689B ,2025-03-28
[9]
对准标记及半导体结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209400858U ,2019-09-17
[10]
对准标记及其形成方法、半导体的对准方法 [P]. 
林鸿铭 ;
林晓江 ;
蔡孟峰 ;
邱德安 .
中国专利 :CN101567302A ,2009-10-28