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具有低寄生电容的静电放电保护结构及其静电放电保护电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010915650.4
申请日：
2020-09-03
公开(公告)号：
CN112216690B
公开(公告)日：
2024-02-06
发明(设计)人：
沈佑书
申请人：
晶焱科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市中和区中正路736号6楼之6
IPC主分类号：
H01L27/02
IPC分类号：
代理机构：
北京市万慧达律师事务所 11111
代理人：
谢敏楠
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-06 | 授权 | 授权 |