一种高纯乙硅烷制备系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311659054.4
申请日
2023-12-06
公开(公告)号
CN117563260A
公开(公告)日
2024-02-20
发明(设计)人
许进荣 杨利霞
申请人
滁州昶旭电子材料有限公司
申请人地址
239500 安徽省滁州市全椒县十字镇十谭产业园远大路09号
IPC主分类号
B01D3/14
IPC分类号
B01D3/32 B01J19/00 C01B33/04
代理机构
滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙) 34167
代理人
陈博
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 滁州市
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共 50 条
[1]
一种高纯乙硅烷制备系统 [P]. 
许进荣 ;
杨利霞 .
中国专利 :CN117563260B ,2024-06-04
[2]
一种高纯乙硅烷和丙硅烷的制备系统 [P]. 
郑彰 .
:CN221132192U ,2024-06-14
[3]
高纯乙硅烷制备用精馏装置 [P]. 
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[5]
一种生产高纯乙硅烷的系统及其方法 [P]. 
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程战锋 ;
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[6]
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[7]
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[8]
高纯乙硅烷纯化过滤装置 [P]. 
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[9]
高纯乙硅烷存储取样装置 [P]. 
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王伟 .
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[10]
一种高纯六氯乙硅烷的提纯装置 [P]. 
刘璧 ;
鲍坚仁 ;
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