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含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311667403.7
申请日
:
2023-12-06
公开(公告)号
:
CN117649863B
公开(公告)日
:
2024-06-11
发明(设计)人
:
朱建华
张震
符旭会
杨东旭
申请人
:
四川大学
申请人地址
:
610044 四川省成都市一环路南一段24号
IPC主分类号
:
G11B7/241
IPC分类号
:
G11B7/2533
G11B7/257
G16C60/00
G16C20/30
代理机构
:
成都其知创新专利代理事务所(普通合伙) 51326
代理人
:
王沙沙
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G11B 7/241申请日:20231206
2024-03-05
公开
公开
2024-06-11
授权
授权
共 50 条
[1]
含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
朱建华
;
论文数:
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机构:
张震
;
符旭会
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0
机构:
四川大学
四川大学
符旭会
;
论文数:
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机构:
杨东旭
.
中国专利
:CN117649863A
,2024-03-05
[2]
一种高光敏性和优异偏振特性TAPMP光致聚合物全息存储材料及其制备方法
[P].
李金泓
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机构:
福建师范大学
福建师范大学
李金泓
;
论文数:
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机构:
谭小地
;
胡坡
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机构:
福建师范大学
福建师范大学
胡坡
;
论文数:
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机构:
林枭
.
中国专利
:CN115798545B
,2025-07-11
[3]
掺杂氧化石墨烯的光致聚合物全息记录材料及其制备方法
[P].
张亚萍
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张亚萍
;
高云龙
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高云龙
;
张永安
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张永安
;
范爽
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范爽
;
潘永峰
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潘永峰
;
张弓的
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张弓的
.
中国专利
:CN108153112A
,2018-06-12
[4]
掺杂纳米二氧化硅的光致聚合物全息材料及其制备方法
[P].
王艳
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王艳
;
黄明举
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黄明举
;
李若平
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李若平
;
王素莲
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王素莲
;
韩俊鹤
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韩俊鹤
;
翟凤潇
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翟凤潇
;
王龙阁
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王龙阁
;
赵磊
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赵磊
.
中国专利
:CN101697280A
,2010-04-21
[5]
对绿光敏感的光致聚合物全息记录材料及其制备方法
[P].
姚华文
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姚华文
;
黄明举
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黄明举
;
陈仲裕
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陈仲裕
;
侯立松
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侯立松
.
中国专利
:CN1145077C
,2002-01-02
[6]
一种无基底丙烯酰胺光致聚合全息存储材料及其制备方法
[P].
王珩
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王珩
;
徐世峰
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徐世峰
;
马佳
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马佳
;
王兆阳
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王兆阳
;
姚承君
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姚承君
;
荆喆
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荆喆
.
中国专利
:CN107247387A
,2017-10-13
[7]
光致聚合物型全息存储光盘的制备方法
[P].
赵榆霞
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赵榆霞
;
吴飞鹏
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吴飞鹏
;
施盟泉
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0
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施盟泉
.
中国专利
:CN102054498B
,2011-05-11
[8]
一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法
[P].
金俊超
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金俊超
;
谭小地
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谭小地
;
曾泽艺
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曾泽艺
.
中国专利
:CN115602201A
,2023-01-13
[9]
一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法
[P].
金俊超
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机构:
福建师范大学
福建师范大学
金俊超
;
论文数:
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机构:
谭小地
;
曾泽艺
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机构:
福建师范大学
福建师范大学
曾泽艺
.
中国专利
:CN115602201B
,2025-01-24
[10]
双波长敏感的光致聚合物全息记录材料及其制备方法
[P].
刘学璋
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刘学璋
;
姚华文
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姚华文
;
陈仲裕
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陈仲裕
.
中国专利
:CN1448782A
,2003-10-15
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