含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311667403.7
申请日
2023-12-06
公开(公告)号
CN117649863B
公开(公告)日
2024-06-11
发明(设计)人
朱建华 张震 符旭会 杨东旭
申请人
四川大学
申请人地址
610044 四川省成都市一环路南一段24号
IPC主分类号
G11B7/241
IPC分类号
G11B7/2533 G11B7/257 G16C60/00 G16C20/30
代理机构
成都其知创新专利代理事务所(普通合伙) 51326
代理人
王沙沙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
四川省 成都市
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共 50 条
[1]
含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用 [P]. 
朱建华 ;
张震 ;
符旭会 ;
杨东旭 .
中国专利 :CN117649863A ,2024-03-05
[2]
一种高光敏性和优异偏振特性TAPMP光致聚合物全息存储材料及其制备方法 [P]. 
李金泓 ;
谭小地 ;
胡坡 ;
林枭 .
中国专利 :CN115798545B ,2025-07-11
[3]
掺杂氧化石墨烯的光致聚合物全息记录材料及其制备方法 [P]. 
张亚萍 ;
高云龙 ;
张永安 ;
范爽 ;
潘永峰 ;
张弓的 .
中国专利 :CN108153112A ,2018-06-12
[4]
掺杂纳米二氧化硅的光致聚合物全息材料及其制备方法 [P]. 
王艳 ;
黄明举 ;
李若平 ;
王素莲 ;
韩俊鹤 ;
翟凤潇 ;
王龙阁 ;
赵磊 .
中国专利 :CN101697280A ,2010-04-21
[5]
对绿光敏感的光致聚合物全息记录材料及其制备方法 [P]. 
姚华文 ;
黄明举 ;
陈仲裕 ;
侯立松 .
中国专利 :CN1145077C ,2002-01-02
[6]
一种无基底丙烯酰胺光致聚合全息存储材料及其制备方法 [P]. 
王珩 ;
徐世峰 ;
马佳 ;
王兆阳 ;
姚承君 ;
荆喆 .
中国专利 :CN107247387A ,2017-10-13
[7]
光致聚合物型全息存储光盘的制备方法 [P]. 
赵榆霞 ;
吴飞鹏 ;
施盟泉 .
中国专利 :CN102054498B ,2011-05-11
[8]
一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法 [P]. 
金俊超 ;
谭小地 ;
曾泽艺 .
中国专利 :CN115602201A ,2023-01-13
[9]
一种光致聚合物全息存储材料、全息光盘及其制备方法 [P]. 
金俊超 ;
谭小地 ;
曾泽艺 .
中国专利 :CN115602201B ,2025-01-24
[10]
双波长敏感的光致聚合物全息记录材料及其制备方法 [P]. 
刘学璋 ;
姚华文 ;
陈仲裕 .
中国专利 :CN1448782A ,2003-10-15