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电容器的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311849598.7
申请日
:
2023-12-29
公开(公告)号
:
CN117500365B
公开(公告)日
:
2024-05-10
发明(设计)人
:
宛伟
申请人
:
长鑫新桥存储技术有限公司
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
IPC主分类号
:
H10N97/00
IPC分类号
:
代理机构
:
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人
:
成丽杰
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-02
公开
公开
2024-05-10
授权
授权
2024-02-23
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20231229
共 50 条
[1]
电容器的制备方法
[P].
宛伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫新桥存储技术有限公司
长鑫新桥存储技术有限公司
宛伟
.
中国专利
:CN117500365A
,2024-02-02
[2]
电容器的制备方法
[P].
田范焕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田范焕
;
梁时元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
梁时元
;
白国斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
白国斌
;
高建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高建峰
;
王桂磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王桂磊
;
丁明正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁明正
;
丁云凌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁云凌
.
中国专利
:CN114447221A
,2022-05-06
[3]
电容结构的制备方法及电容器
[P].
盛超军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
盛超军
.
中国专利
:CN114171462A
,2022-03-11
[4]
电容结构的制备方法及电容器
[P].
盛超军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
盛超军
.
中国专利
:CN114171461A
,2022-03-11
[5]
电容结构的制备方法及电容器
[P].
盛超军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
盛超军
.
中国专利
:CN114171462B
,2024-05-14
[6]
沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111106095A
,2020-05-05
[7]
沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN111106095B
,2025-04-29
[8]
电容器和制备电容器的方法
[P].
陆斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
陆斌
;
沈健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
沈健
.
中国专利
:CN111615751A
,2020-09-01
[9]
电容器和包括该电容器的电子器件
[P].
李昌洙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昌洙
;
金真弘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金真弘
;
赵龙僖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
赵龙僖
;
金载兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金载兴
;
李周浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李周浩
.
韩国专利
:CN117794353A
,2024-03-29
[10]
电容器的制备方法及电容器
[P].
李相晚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李相晚
.
中国专利
:CN113363385A
,2021-09-07
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