一种ZrO<sub>2</sub>改性TiB<sub>2</sub>基复合陶瓷及快速制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311644909.6

申请日：

2023-12-04

公开(公告)号：

CN117586026A

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

程兴旺张朝晖刘罗锦熊志平张洪梅

申请人：

北京理工大学北京理工大学唐山研究院

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

C04B35/58

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	公开	公开
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/58申请日:20231204

共 50 条

[1]

一种TiB<sub>2</sub>基复合陶瓷及快速制备方法 [P].

程兴旺 ;

张朝晖 ;

刘罗锦 ;

熊志平 ;

张洪梅 .

中国专利 :CN117567160A ,2024-02-20

[2]

一种低温制备TiB<sub>2</sub>-TiC-TiB复合陶瓷的方法 [P].

张朝晖 ;

程兴旺 ;

刘罗锦 ;

熊志平 ;

张洪梅 .

中国专利 :CN117586025A ,2024-02-23

[3]

热压烧结大尺寸TiB<sub>2</sub>基复合陶瓷 [P].

张朝晖 ;

程兴旺 ;

刘罗锦 ;

熊志平 ;

张洪梅 .

中国专利 :CN117586024A ,2024-02-23

[4]

一种B<sub>4</sub>C–TiB<sub>2</sub>–SiC导电复相陶瓷及其制备方法 [P].

冉松林 ;

赵峻 ;

刘亮亮 ;

王东 ;

金星 ;

丁祥 .

中国专利 :CN117586014A ,2024-02-23

[5]

一种B<sub>4</sub>C–TiB<sub>2</sub>–SiC导电复相陶瓷及其制备方法 [P].

冉松林 ;

赵峻 ;

刘亮亮 ;

王东 ;

金星 ;

丁祥 .

中国专利 :CN117586014B ,2025-09-23

[6]

一种TiB<sub>2</sub>-HfN/TiB<sub>2</sub>-HfC层状陶瓷材料及其制备方法 [P].

高姣姣 ;

王瑶 ;

宋金鹏 .

中国专利 :CN118106493A ,2024-05-31

[7]

蓝宝石精研磨废料原位制备TiB<sub>2</sub>-B<sub>4</sub>C复合陶瓷的方法 [P].

李欣 ;

唐健 ;

陈滨 ;

乔佳 ;

长世伦 ;

王兴国 ;

徐晨 .

中国专利 :CN117865686A ,2024-04-12

[8]

一种TiB<sub>2</sub>/MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>复合陶瓷材料的原位无压烧结制备方法 [P].

刘雄章 ;

杨雨舟 ;

耿超 ;

李江涛 ;

张知之 .

中国专利 :CN120441304A ,2025-08-08

[9]

一种TiB<sub>2</sub>/MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>复合陶瓷材料的原位无压烧结制备方法 [P].

刘雄章 ;

杨雨舟 ;

耿超 ;

李江涛 ;

张知之 .

中国专利 :CN120441304B ,2025-09-16

[10]

一种ZrB<sub>2</sub>/ZrO<sub>2</sub>梯度复合SiC陶瓷基材料的制备方法 [P].

孙小飞 ;

马昭蕊 ;

王刚 ;

丛鹤地 .

中国专利 :CN119431012A ,2025-02-14

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