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一种氮化镓器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410090061.5
申请日
:
2024-01-23
公开(公告)号
:
CN117637835A
公开(公告)日
:
2024-03-01
发明(设计)人
:
刘成名
何军漆
周绍珂
鲁宁峰
何有丰
申请人
:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请人地址
:
519100 广东省珠海市高新区金园二路39号
IPC主分类号
:
H01L29/778
IPC分类号
:
H01L21/335
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
岳晓萍
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-01
公开
公开
2024-12-10
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/778申请公布日:20240301
2024-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240123
共 50 条
[1]
一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法
[P].
尹志军
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尹志军
;
崔国新
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崔国新
;
冯会会
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冯会会
;
许志城
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0
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许志城
.
中国专利
:CN112259604A
,2021-01-22
[2]
一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法
[P].
于洪宇
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
于洪宇
;
王沛然
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
王沛然
;
汪青
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
汪青
;
何佳琦
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
何佳琦
;
邓宸凯
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
邓宸凯
;
樊涤非
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
樊涤非
;
陶赓名
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
陶赓名
.
中国专利
:CN118919562B
,2025-10-03
[3]
一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法
[P].
于洪宇
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
于洪宇
;
王沛然
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
王沛然
;
汪青
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
汪青
;
何佳琦
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
何佳琦
;
邓宸凯
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
邓宸凯
;
樊涤非
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
樊涤非
;
陶赓名
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
陶赓名
.
中国专利
:CN118919562A
,2024-11-08
[4]
一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
张煜
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
;
段斌
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
段斌
;
刘海军
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
代云飞
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
;
李文明
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
.
中国专利
:CN118299402A
,2024-07-05
[5]
一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
刘海军
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
张煜
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
;
李文明
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
;
代云飞
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
.
中国专利
:CN118299411A
,2024-07-05
[6]
一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
代云飞
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
;
李文明
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
;
刘海军
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
张煜
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
.
中国专利
:CN118299400A
,2024-07-05
[7]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
陈兴
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机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
陈兴
;
黄永
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机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
黄永
.
中国专利
:CN119317144A
,2025-01-14
[8]
一种氮化镓器件制备方法及氮化镓器件
[P].
廖富达
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
廖富达
;
苗振林
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
苗振林
;
任星霖
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
任星霖
;
卢小杰
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
卢小杰
;
论文数:
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机构:
何晨光
;
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机构:
赵维
;
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机构:
陈志涛
.
中国专利
:CN119767726A
,2025-04-04
[9]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武占侠
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0
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武占侠
;
王祥
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0
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王祥
;
洪海敏
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洪海敏
;
刘飞飞
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刘飞飞
;
温雷
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温雷
;
文豪
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文豪
;
卜小松
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卜小松
.
中国专利
:CN114864686A
,2022-08-05
[10]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
代云飞
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
;
张煜
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
;
别业楠
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中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
别业楠
;
刘海军
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
李文明
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
.
中国专利
:CN119521704A
,2025-02-25
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