耐电晕聚酰亚胺-聚全氟乙丙烯复合薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311028306.3

申请日：

2023-08-16

公开(公告)号：

CN117106217B

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

陈伟健张丹丹

申请人：

广东派尔新材料科技有限公司

申请人地址：

523507 广东省东莞市企石镇清湖民营园路2号2号楼101室

IPC主分类号：

C08J7/04

IPC分类号：

C09D127/18 C09D7/65 C09D7/61 C09D7/62 C09D7/47

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

广东省东莞市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种耐电晕聚酰亚胺-聚全氟乙丙烯复合薄膜及其制备方法 [P].

何志斌 ;

袁舜齐 ;

汤昌丹 .

中国专利 :CN103832033A ,2014-06-04

[2]

耐电晕聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P].

刘贺 ;

孙科 ;

陈然 ;

曾彩萍 ;

金鹰 .

中国专利 :CN109293966A ,2019-02-01

[3]

一种聚酰亚胺-聚全氟乙丙烯复合薄膜制备方法 [P].

丁恒毅 ;

丁兆龙 .

中国专利 :CN109337108A ,2019-02-15

[4]

聚酰亚胺聚全氟乙丙烯复合绝缘电缆及其制备方法 [P].

米春海 ;

贾倩倩 ;

董俊 ;

陶锴 .

中国专利 :CN108878013A ,2018-11-23

[5]

聚酰亚胺聚全氟乙丙烯复合绝缘电缆及其制备方法 [P].

赵明哲 ;

吴天凤 ;

庞倩 ;

夏伟杰 .

中国专利 :CN108899140A ,2018-11-27

[6]

一种耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法、耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备系统 [P].

张明玉 ;

刘立柱 ;

张春琪 ;

施泉荣 ;

朱小勇 ;

夏智峰 ;

吴斌 ;

马俊峰 .

中国专利 :CN110744764B ,2020-02-04

[7]

耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

董占林 ;

张俊丽 ;

任小龙 .

中国专利 :CN102490426A ,2012-06-13

[8]

一种耐电晕聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P].

张步峰 ;

廖波 ;

杨军 ;

高纪明 ;

刘杰 ;

姜其斌 .

中国专利 :CN107856383B ,2018-03-30

[9]

一种耐电晕聚酰亚胺复合薄膜的制备方法及复合薄膜 [P].

程小荣 ;

吴斌 ;

马俊锋 ;

张春琪 ;

崔益华 ;

包睿瀚 ;

张超 .

中国专利 :CN113980313B ,2022-01-28

[10]

耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

吕亮 ;

吕明 ;

陆玉环 ;

魏文帆 ;

张鑫 .

中国专利 :CN118596671A ,2024-09-06

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