一种掺硼金刚石块制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311405672.6

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN117339479A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

胡歆

申请人：

胡歆

申请人地址：

201900 上海市宝山区沪太路5559号1-202室

IPC主分类号：

B01J3/06

IPC分类号：

C01B32/26

代理机构：

东台金诚石专利代理事务所(特殊普通合伙) 32482

代理人：

吴少均

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	公开	公开
2025-04-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):B01J 3/06申请公布日:20240105

共 50 条

[1]

一种掺硼金刚石薄膜制备方法 [P].

玄真武 ;

张怡 .

中国专利 :CN111549331B ,2020-08-18

[2]

掺硼金刚石及提高掺硼金刚石导电性的方法 [P].

张晓冉 ;

刘晓兵 ;

邢相灼 ;

宋金雨 .

中国专利 :CN117599680A ,2024-02-27

[3]

一种掺硼金刚石复合电极材料及其制备方法、掺硼金刚石复合电极 [P].

王海龙 ;

李强 ;

李智强 ;

闫宁 ;

王志强 ;

张珂皓 ;

王溢仁 ;

邵刚 ;

李明亮 ;

范冰冰 ;

许红亮 ;

卢红霞 ;

张锐 .

中国专利 :CN110643957B ,2020-01-03

[4]

一种掺硼金刚石电极 [P].

唐永炳 ;

谷继腾 ;

杨扬 ;

石磊 .

中国专利 :CN207774876U ,2018-08-28

[5]

一种掺硼金刚石电极 [P].

唐永炳 ;

谷继腾 ;

杨扬 ;

李子豪 ;

张文军 .

中国专利 :CN208604194U ,2019-03-15

[6]

一种掺硼金刚石电极 [P].

龙航宇 ;

王玲 ;

刘学璋 ;

文魁 .

中国专利 :CN211320382U ,2020-08-21

[7]

一种掺硼金刚石电极及其制备方法 [P].

唐永炳 ;

谷继腾 ;

杨扬 ;

石磊 .

中国专利 :CN107986401A ,2018-05-04

[8]

一种掺硼金刚石电极及其制备方法 [P].

王玲 .

中国专利 :CN111254434B ,2020-06-09

[9]

一种掺硼金刚石薄膜的制备方法 [P].

唐永炳 ;

谷继腾 ;

杨扬 .

中国专利 :CN109811328A ,2019-05-28

[10]

一种掺硼金刚石检测电极 [P].

徐健 ;

唐伟忠 ;

鲁新如 .

中国专利 :CN212341085U ,2021-01-12

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