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一种氧化铝陶瓷基片材料等静压成型方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311496443.X
申请日：
2023-11-10
公开(公告)号：
CN117341030A
公开(公告)日：
2024-01-05
发明(设计)人：
刘雄光
黄岱
孙超
申请人：
广州英诺创科半导体科技有限公司
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区连云路8号3栋101房（部位:104）
IPC主分类号：
B28B7/00
IPC分类号：
B28B7/38
B28B7/42
代理机构：
广州凯东知识产权代理有限公司 44259
代理人：
姚迎新
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-05 | 公开 | 公开 |
| 2024-01-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):B28B 7/00申请日:20231110 |