半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311400546.1

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN117956797A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

姜泰逵金泰赫申硕浩金根楠朴硕韩慎重赞李基硕

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B41/27

IPC分类号：

H10B41/30 H10B43/27 H10B43/30 H10B43/40 H10B41/40

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/27申请日:20231026

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

韩俊 ;

李相昊 ;

郑文泳 .

韩国专利 :CN120199751A ,2025-06-24

[2]

半导体存储器件 [P].

闵柱盛 ;

金鹤善 ;

白在馥 ;

尹康五 ;

尹泽硅 ;

李东镇 ;

李载德 ;

林世真 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN119835945A ,2025-04-15

[3]

半导体存储器件 [P].

崔昌玟 ;

李昌宪 ;

闵柱盛 ;

尹泽硅 .

韩国专利 :CN119562518A ,2025-03-04

[4]

半导体存储器件 [P].

李宰圭 ;

金昌圭 .

中国专利 :CN103811494A ,2014-05-21

[5]

半导体存储器件 [P].

朴庆晋 ;

姜书求 ;

曹权纯 ;

金森宏治 .

中国专利 :CN110349970A ,2019-10-18

[6]

半导体存储器件 [P].

金钟源 ;

郑光泳 ;

殷东锡 .

中国专利 :CN108987405A ,2018-12-11

[7]

半导体存储器件 [P].

李基硕 ;

赵银珠 ;

金根楠 ;

朴硕韩 ;

申硕浩 ;

慎重赞 ;

尹熙燦 .

韩国专利 :CN117956790A ,2024-04-30

[8]

半导体存储器件 [P].

郑煐陈 ;

曹诚汉 .

中国专利 :CN110391244A ,2019-10-29

[9]

半导体存储器件 [P].

金钟源 ;

郑光泳 ;

殷东锡 .

韩国专利 :CN108987405B ,2024-02-09

[10]

半导体存储器件 [P].

朴庆晋 ;

姜书求 ;

曹权纯 ;

金森宏治 .

韩国专利 :CN110349970B ,2024-07-23

← 1 2 3 4 5 →