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半导体工艺腔室

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410160235.0
申请日：
2024-02-04
公开(公告)号：
CN118007090A
公开(公告)日：
2024-05-10
发明(设计)人：
刘建军 纪安宽 邓斌 张钦彤
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
C23C16/02
IPC分类号：
C23C16/44 C23C16/458 C23C14/02 C23C14/56 H01J37/32
代理机构：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人：
刘亚岐
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/02申请日:20240204
2024-05-10 公开 公开
2025-06-24 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体工艺腔室 [P]. 
刘建军 ;
纪安宽 ;
邓斌 ;
张钦彤 .
中国专利 :CN118007090B ,2025-06-24
[2]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855A ,2022-07-12
[3]
半导体工艺腔室 [P]. 
俞振铎 ;
庞锟锋 ;
李冲 ;
边国栋 ;
邓斌 .
中国专利 :CN120854312A ,2025-10-28
[4]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855B ,2024-10-25
[5]
半导体工艺腔室 [P]. 
王松 ;
陈星 ;
赵晋荣 ;
韦刚 .
中国专利 :CN114792619A ,2022-07-26
[6]
半导体工艺腔室 [P]. 
杨冰彦 .
中国专利 :CN120341104A ,2025-07-18
[7]
半导体工艺腔室 [P]. 
孔宇威 ;
伊藤正雄 ;
林源为 ;
董子晗 .
中国专利 :CN121034931A ,2025-11-28
[8]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06
[9]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12
[10]
半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺 [P]. 
涂天佑 .
中国专利 :CN121065652A ,2025-12-05
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