高侧NMOS功率管的反接保护电路及电源管理芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410247284.8

申请日：

2024-03-05

公开(公告)号：

CN118137443A

公开(公告)日：

2024-06-04

发明(设计)人：

黄鑫

申请人：

杭州拓尔微电子有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市钱塘区河庄街道青西四路603号1幢1-3层、2幢2层

IPC主分类号：

H02H11/00

IPC分类号：

H02M1/08

代理机构：

西安信达智合知识产权代理有限公司 61316

代理人：

黄涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02H 11/00申请日:20240305
2024-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路 [P].

刘文韬 ;

雷旭 ;

张杰 ;

胡袁彬 ;

陈仕松 ;

苟超 ;

彭克武 ;

杨丰 ;

李鹏 ;

廖鹏飞 ;

陈波 .

中国专利 :CN222321114U ,2025-01-07

[2]

NMOS功率管驱动电路 [P].

夏虎 ;

刘桂芝 ;

吴春达 .

中国专利 :CN112436720B ,2021-03-02

[3]

功率管的保护电路、电源保护芯片以及设备 [P].

姜艳 .

中国专利 :CN114337226A ,2022-04-12

[4]

功率管的保护电路、电源保护芯片以及设备 [P].

姜艳 .

中国专利 :CN114337226B ,2024-08-09

[5]

一种高侧NMOS功率管预充电电路 [P].

闸钢 .

中国专利 :CN113328613B ,2022-07-12

[6]

功率管的测试电路以及电源保护芯片 [P].

姜艳 .

中国专利 :CN113655358A ,2021-11-16

[7]

功率管的测试电路以及电源保护芯片 [P].

姜艳 .

中国专利 :CN113655358B ,2024-11-15

[8]

功率管电路的半导体结构、电源管理芯片及其封装结构 [P].

闫琳静 ;

崔庆 ;

周新萍 .

中国专利 :CN215299253U ,2021-12-24

[9]

功率管的保护电路、芯片及电子设备 [P].

吴永俊 .

中国专利 :CN223527973U ,2025-11-07

[10]

功率管驱动电路、电源芯片及电源系统 [P].

吕战辉 ;

李瑞平 ;

池伟 .

中国专利 :CN113078804B ,2021-07-06

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