基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311843355.2
申请日
2023-12-28
公开(公告)号
CN117760687A
公开(公告)日
2024-03-26
发明(设计)人
宗豪华 吴云 梁华 魏彪 苏志
申请人
中国人民解放军空军工程大学
申请人地址
710051 陕西省西安市灞桥区长乐东路甲字1号
IPC主分类号
G01M9/08
IPC分类号
G01M15/02
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
基于等离子体合成射流激励器的自适应激励控制系统 [P]. 
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孙琪杰 ;
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[2]
自补气式双腔等离子体合成射流激励器 [P]. 
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[3]
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宗豪华 ;
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
一种V形射流通道的等离子体合成射流激励器装置 [P]. 
黄河峡 ;
秦源 ;
李方波 ;
林正康 ;
唐学斌 ;
谭慧俊 ;
丁文博 .
中国专利 :CN116761323B ,2024-09-27
[9]
直流电弧驱动的等离子体合成射流阵列激励装置和方法 [P]. 
宗豪华 ;
吴云 ;
梁华 ;
张志波 ;
宋慧敏 ;
贾敏 .
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[10]
一种磁控矢量高速等离子体合成射流激励器 [P]. 
谢玮 ;
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