发光二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111094317.2

申请日：

2018-01-19

公开(公告)号：

CN113851564B

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

林素慧王锋洪灵愿许圣贤陈思河陈大钟彭康伟张家宏

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/38 H01L33/46 H01L33/62

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管及其制作方法 [P].

芮哲 ;

吴俊磊 ;

夏群 ;

马国强 ;

王佳 ;

崔伟豪 ;

魏柏林 .

中国专利 :CN118156388A ,2024-06-07

[2]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

王锋 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

彭康伟 ;

张家宏 .

中国专利 :CN109844968B ,2019-06-04

[3]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

陈功 ;

张家宏 ;

彭康伟 .

中国专利 :CN107681032A ,2018-02-09

[4]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

陈功 ;

张家宏 ;

彭康伟 .

中国专利 :CN118867077B ,2025-11-14

[5]

发光二极管及其制作方法 [P].

毕东升 ;

徐凯 ;

蔡家豪 ;

黄照明 ;

张家豪 .

中国专利 :CN110752276A ,2020-02-04

[6]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

陈功 ;

张家宏 ;

彭康伟 .

中国专利 :CN107681032B ,2024-05-10

[7]

发光二极管及其制作方法 [P].

秦双娇 ;

夏章艮 ;

高艳龙 ;

史炎 ;

何治健 .

中国专利 :CN118553831A ,2024-08-27

[8]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

陈功 ;

张家宏 ;

彭康伟 .

中国专利 :CN118867077A ,2024-10-29

[9]

发光二极管及其制作方法 [P].

林素慧 ;

王锋 ;

洪灵愿 ;

许圣贤 ;

陈思河 ;

陈大钟 ;

彭康伟 ;

张家宏 .

中国专利 :CN113851564A ,2021-12-28

[10]

发光二极管及发光二极管制作方法 [P].

王世俊 ;

赵秀梅 ;

宋木 ;

李彤 ;

邢振远 ;

王洪占 .

中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23

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