一种多孔碳负载硅纳米线负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410078578.2

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117691093A

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

廖健淞严志轩李钧李征杰包尘杰胡鸿飞郭小平黄艳萍刘中才张明刘国钧

申请人：

拓米（成都）应用技术研究院有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）郫温路266号创客公园2期7栋3楼

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/38 H01M4/62 H01M4/04 H01M10/0525 C01B32/324 C01B32/348 C01B32/354

代理机构：

成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239

代理人：

刘华平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240119
2024-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

硅纳米线与多孔碳复合工艺 [P].

廖健淞 ;

张明 ;

李钧 ;

黄艳萍 ;

李征杰 ;

刘国钧 ;

胡鸿飞 ;

包尘杰 ;

严志轩 ;

郭小平 ;

袁小燕 .

中国专利 :CN117855453A ,2024-04-09

[2]

一种多孔碳负载纳米硅负极及其制备方法 [P].

田文龙 ;

耿铭涛 ;

马玙晗 ;

赵震环 ;

李贤亚 ;

周嘉郁 ;

吴伟伟 ;

张承东 .

中国专利 :CN119340347A ,2025-01-21

[3]

一种硅纳米线/多层MXene负极材料的制备方法 [P].

段锐 ;

王辉 ;

万文文 ;

张聪聪 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN118173739A ,2024-06-11

[4]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

孔祥云 ;

郑安雄 ;

阮愉悦 .

中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15

[5]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29

[6]

一种硅碳纳米线负极材料、制备方法及其在锂离子电池中的应用 [P].

李胜 ;

王道淼 ;

赖桂棠 ;

方斌 ;

黄世强 ;

刘罗 ;

曹恩德 ;

陈俊毅 ;

毛苗苗 .

中国专利 :CN120413645A ,2025-08-01

[7]

一种硅纳米线/硅碳基体复合材料及其制备方法、应用 [P].

朱丽丽 ;

樊少娟 .

中国专利 :CN107482189A ,2017-12-15

[8]

多孔碳、硅碳负极材料，及多孔碳的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN115676825A ,2023-02-03

[9]

一种硅碳负极材料的制备方法及其应用 [P].

廖健淞 ;

李钧 ;

刘瑞强 ;

熊超杰 ;

张锡强 ;

陈茜 .

中国专利 :CN117088371B ,2025-11-21

[10]

一种硅纳米线、其制备方法及用于制备碳包覆硅纳米线负极材料的用途 [P].

罗绍华 ;

黄红波 ;

刘彩玲 ;

王志远 ;

王庆 ;

刘延国 ;

张亚辉 ;

郝爱民 .

中国专利 :CN106207144A ,2016-12-07

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