一种耐腐蚀抗紫外线SiO<sub>2</sub>纳米减反射薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210818186.6
申请日
2022-07-13
公开(公告)号
CN117430343A
公开(公告)日
2024-01-23
发明(设计)人
刘俊成 董北平 王珮
申请人
天津工业大学
申请人地址
300387 天津市西青区宾水西道399号
IPC主分类号
C03C17/25
IPC分类号
H01L31/0216
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[1]
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[2]
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[3]
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[5]
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[6]
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[8]
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[9]
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[10]
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