一种无片外电容的LDO瞬态增强电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311567721.6
申请日
2023-11-22
公开(公告)号
CN117498853A
公开(公告)日
2024-02-02
发明(设计)人
林浩东 柴常春 樊庆庆 徐乐
申请人
西安电子科技大学
申请人地址
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
H03K19/0185
IPC分类号
H03F1/42 H03F1/56 H03K19/003
代理机构
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
万艳艳
法律状态
公开
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
一种无片外电容快速瞬态响应LDO电路 [P]. 
蔡超波 ;
邱雨 ;
罗勇德 ;
宋树祥 ;
范晨影 ;
覃玉鑫 ;
王康林 .
中国专利 :CN118349068A ,2024-07-16
[2]
一种无片外电容快速瞬态响应LDO电路 [P]. 
蔡超波 ;
邱雨 ;
罗勇德 ;
宋树祥 ;
范晨影 ;
覃玉鑫 ;
王康林 .
中国专利 :CN222105867U ,2024-12-03
[3]
一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路 [P]. 
沈洁 ;
王倩 ;
李喜 ;
陈后鹏 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN113485520B ,2021-10-08
[4]
一种无片外电容LDO电路 [P]. 
陈君杰 ;
王维德 ;
王帅康 .
中国专利 :CN120631120A ,2025-09-12
[5]
用于无片外电容LDO的瞬态负载响应增强电路 [P]. 
李海辉 ;
李发宁 ;
马侠 .
中国专利 :CN118466665A ,2024-08-09
[6]
用于无片外电容LDO的瞬态负载响应增强电路 [P]. 
李海辉 ;
李发宁 ;
马侠 .
中国专利 :CN118484053A ,2024-08-13
[7]
一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路 [P]. 
唐莹 ;
吴晨杰 ;
陈文睿 .
中国专利 :CN116107372B ,2024-11-19
[8]
一种无片外电容的LDO芯片 [P]. 
周源 ;
罗运 ;
刘利枚 ;
田乾磊 ;
唐石超 .
中国专利 :CN119292396A ,2025-01-10
[9]
一种无片外电容的LDO芯片 [P]. 
周源 ;
罗运 ;
刘利枚 ;
田乾磊 ;
唐石超 .
中国专利 :CN119292396B ,2025-11-14
[10]
一种集成摆率增强电路的低功耗无片外电容LDO [P]. 
程心 ;
梁绪亮 ;
解光军 ;
陈洋 ;
陈舒裴 ;
杜龙杰 .
中国专利 :CN104063003B ,2014-09-24