共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311726607.3
申请日：
2023-12-15
公开(公告)号：
CN117410388A
公开(公告)日：
2024-01-16
发明(设计)人：
陈庆敏
李丙科
陈加朋
卓倩武
申请人：
无锡松煜科技有限公司
申请人地址：
214000 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
IPC主分类号：
H01L31/18
IPC分类号：
H01L31/0216
H01L21/02
H01L21/67
C23C16/40
C23C16/52
代理机构：
浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511
代理人：
葛天祥
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
无锡市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-19 | 授权 | 授权 |
| 2024-02-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20231215 |
| 2024-01-16 | 公开 | 公开 |