单原子金属掺杂α-氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210367780.8

申请日：

2022-04-08

公开(公告)号：

CN114592213B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

雷永鹏王启晨

申请人：

中南大学

申请人地址：

410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

IPC主分类号：

C25B11/091

IPC分类号：

C25B11/065 C25B1/04

代理机构：

长沙大胜专利代理事务所(普通合伙) 43248

代理人：

陆僖

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

单原子金属掺杂α-氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用 [P].

雷永鹏 ;

王启晨 .

中国专利 :CN114592213A ,2022-06-07

[2]

一种铱单原子修饰的氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用 [P].

张友魁 ;

高叶丽 ;

罗兆涵 ;

曾俊博 ;

蒲玉娟 ;

段涛 .

中国专利 :CN116005193B ,2024-12-20

[3]

氢氧化钴纳米片的制备方法及其应用 [P].

张鹏 ;

林云 ;

阮丁山 ;

李长东 ;

刘更好 .

中国专利 :CN117043114B ,2025-02-28

[4]

一种氢氧化钴纳米片及其制备方法和应用 [P].

杨博文 ;

姜迪 ;

施剑林 .

中国专利 :CN118954620A ,2024-11-15

[5]

银掺杂的氢氧化钴材料及其制备方法和应用 [P].

耿保友 ;

董若浩 .

中国专利 :CN108654640A ,2018-10-16

[6]

一种纳米氢氧化钴及其制备方法和应用 [P].

卢星华 ;

阮丁山 ;

李长东 ;

刘更好 ;

周思源 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117794864A ,2024-03-29

[7]

一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用 [P].

吴正翠 ;

王相宇 ;

高峰 .

中国专利 :CN111883367B ,2020-11-03

[8]

一种过渡金属掺杂纳米α-氢氧化钴材料的制备方法及应用 [P].

林和春 ;

曹波 .

中国专利 :CN110339838A ,2019-10-18

[9]

一种氢氧化钴及其制备方法和应用 [P].

李晓英 ;

叶晗晨 ;

许开华 ;

李炳忠 ;

戴熹 .

中国专利 :CN117902635A ,2024-04-19

[10]

一种α-氢氧化钴及其制备方法和应用 [P].

刘祯 ;

阮丁山 ;

李长东 ;

刘更好 ;

张鹏 ;

黎淼 .

中国专利 :CN117813262A ,2024-04-02

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