一种基于常通型Sic JFET的交错串联式直流固态断路器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311502791.3

申请日：

2023-11-10

公开(公告)号：

CN117579048A

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

周芊帆万代赵邈周恒逸朱吉然莫文慧段绪金范凯伦彭思敏唐海国张志丹杨淼李金亮羿敏张帝周可慧邓威康童陈伟由凯

申请人：

国网湖南省电力有限公司国网湖南省电力有限公司电力科学研究院国家电网公司

申请人地址：

410000 湖南省长沙市雨花区韶山北路388号

IPC主分类号：

H03K17/081

IPC分类号：

H03K17/60

代理机构：

长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213

代理人：

马家骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖南省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/081申请日:20231110
2024-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于常通型SiC器件的自供电直流固态断路器 [P].

王丹 ;

秦海鸿 ;

徐华娟 ;

董耀文 .

中国专利 :CN105514929A ,2016-04-20

[2]

一种基于常通型SIC器件串联结构的固态直流断路器 [P].

杨平 ;

张飞虎 ;

孔倩 ;

刘湘 ;

吴松荣 .

中国专利 :CN110518544B ,2019-11-29

[3]

一种基于SiC JFET的双向直流固态断路器 [P].

孙孝峰 ;

王蕾 ;

王雪琦 ;

孙祥玉 .

中国专利 :CN114256820A ,2022-03-29

[4]

一种基于SiC MOSFET器件的串联型直流固态断路器及直流配电系统 [P].

岳远省 ;

李刚 ;

杨荧萍 ;

侯言兵 ;

赵化宾 ;

白红娜 ;

王禹 ;

李德正 ;

张硕 ;

徐宪泽 ;

李美蓉 ;

孟冰冰 ;

石淼岩 ;

刘金凯 ;

赵晨曦 ;

徐宪忠 ;

郑遵国 ;

陈璇 .

中国专利 :CN118659300A ,2024-09-17

[5]

一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法 [P].

任宇 ;

杨旭 ;

张帆 ;

王来利 .

中国专利 :CN106159882A ,2016-11-23

[6]

单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统 [P].

辛振 ;

岳远省 ;

薛聚 ;

陈建良 .

中国专利 :CN115133506B ,2025-04-29

[7]

单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统 [P].

辛振 ;

岳远省 ;

薛聚 ;

陈建良 .

中国专利 :CN115133506A ,2022-09-30

[8]

一种双向直流固态断路器 [P].

李稳根 ;

廖晓斌 .

中国专利 :CN212462771U ,2021-02-02

[9]

一种双向直流固态断路器 [P].

李稳根 ;

廖晓斌 .

中国专利 :CN111478296A ,2020-07-31

[10]

基于常通型SIC器件的混合式高压直流断路器及其控制方法 [P].

杨平 ;

张飞虎 ;

孔倩 ;

孙义杰 ;

吴松荣 .

中国专利 :CN110429562A ,2019-11-08

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