半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311045986.X

申请日：

2023-08-18

公开(公告)号：

CN117637809A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

宫田祐辅铃木健司原口友树南竹春彦星泰晖纐缬英典

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/739 H01L21/331 H01L21/225 H02M1/00 H02M1/08

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20230818

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变换装置 [P].

加藤由晴 ;

樱井洋辅 ;

野口晴司 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN114303246A ,2022-04-08

[2]

半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法 [P].

上野隆二 ;

铃木干人 ;

前川佑树 ;

三好启友 .

日本专利 :CN118693135A ,2024-09-24

[3]

半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法 [P].

吉松直树 ;

境纪和 ;

河面英夫 .

日本专利 :CN118872051A ,2024-10-29

[4]

半导体装置、半导体装置的制造方法、电力变换装置 [P].

古川智康 ;

三好智之 .

日本专利 :CN117461145A ,2024-01-26

[5]

半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法 [P].

井上敦文 ;

根岸哲 ;

川上刚史 ;

玉城朋宏 .

日本专利 :CN118160099A ,2024-06-07

[6]

半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置 [P].

古川智康 ;

白石正树 ;

中野广 ;

守田俊章 .

中国专利 :CN105931954A ,2016-09-07

[7]

半导体元件、半导体装置、电力变换装置以及半导体元件的制造方法 [P].

吉田基 ;

藤田淳 ;

佐藤祐司 .

中国专利 :CN111788694A ,2020-10-16

[8]

半导体元件、半导体装置、电力变换装置以及半导体元件的制造方法 [P].

吉田基 ;

藤田淳 ;

佐藤祐司 .

日本专利 :CN111788694B ,2024-08-30

[9]

半导体装置及电力变换装置 [P].

陈则 .

中国专利 :CN109390395A ,2019-02-26

[10]

半导体装置、电力变换装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置的制造方法 [P].

日野泰成 ;

田中阳 ;

菊池正雄 .

中国专利 :CN110828409A ,2020-02-21

← 1 2 3 4 5 →