压力传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210510701.4

申请日：

2022-05-11

公开(公告)号：

CN114754916B

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

张锋牟昌华赵迪胡蕾随辰王圻栗晓李召兴杨庆利彭振邓博文

申请人：

北京七星华创流量计有限公司

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号1幢506室

IPC主分类号：

G01L9/12

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	授权	授权
2024-09-13	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):G01L 9/12变更事项:专利权人变更前:北京七星华创流量计有限公司变更后:北京华丞电子有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号1幢506室变更后:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号院1号楼4层4S01

共 50 条

[1]

压力传感器及其制造方法 [P].

张锋 ;

牟昌华 ;

赵迪 ;

胡蕾 ;

随辰 ;

王圻 ;

栗晓 ;

李召兴 ;

杨庆利 ;

彭振 ;

邓博文 .

中国专利 :CN114754916A ,2022-07-15

[2]

压力传感器芯片及其制造方法和压力传感器 [P].

陈碧亮 .

中国专利 :CN111811696A ,2020-10-23

[3]

压力传感器及其制造方法 [P].

齐藤充浩 ;

大岛裕太 ;

山岸健 .

中国专利 :CN106546373B ,2017-03-29

[4]

压力传感器及其制造方法 [P].

谷田胜纪 ;

村田毅司 ;

藤本尚纪 ;

山田雅央 .

中国专利 :CN105008882B ,2015-10-28

[5]

压力传感器及其制造方法 [P].

吕萍 ;

胡维 ;

李刚 .

中国专利 :CN113008420A ,2021-06-22

[6]

压力传感器及其制造方法 [P].

彼得·泽尔德斯 ;

安德烈亚斯·罗斯贝格 ;

迪特尔·施米特 ;

安德烈·贝林格尔 .

中国专利 :CN103261866A ,2013-08-21

[7]

压力传感器及其制造方法 [P].

单志友 .

中国专利 :CN106840502A ,2017-06-13

[8]

压力传感器及其制造方法 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN102275865B ,2011-12-14

[9]

压力传感器及其制造方法 [P].

周志健 ;

刘洪喜 ;

熊娟 .

中国专利 :CN112880883A ,2021-06-01

[10]

压力传感器及其制造方法 [P].

周志健 ;

刘洪喜 ;

熊娟 .

中国专利 :CN112880883B ,2025-03-14

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