基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010623901.1
申请日
2020-07-01
公开(公告)号
CN113889523B
公开(公告)日
2024-04-26
发明(设计)人
莫海锋
申请人
苏州华太电子技术股份有限公司
申请人地址
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L29/423 H01L29/40
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
赵世发
法律状态
授权
国省代码
江苏省 苏州市
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共 50 条
[1]
基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法 [P]. 
莫海锋 .
中国专利 :CN113889523A ,2022-01-04
[2]
具有近栅场板的半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
高吴昊 ;
曾凡明 ;
吴毅锋 ;
郭超凡 .
中国专利 :CN119181640A ,2024-12-24
[3]
半导体器件结构及其半导体器件结构的制作方法 [P]. 
林浩锋 .
中国专利 :CN119997528A ,2025-05-13
[4]
半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
肖文静 ;
梅立波 ;
王欢 ;
肖亮 ;
潘震 ;
刘雅琴 .
中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28
[5]
半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P]. 
叶李欣 ;
杨弘 .
中国专利 :CN115394709A ,2022-11-25
[6]
半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P]. 
梅敏 ;
袁娜 ;
吴柱锋 .
中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
文豪 ;
占兆武 ;
庞振江 ;
卜小松 ;
廖刚 ;
冯少力 .
中国专利 :CN119208366A ,2024-12-27
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
孙鹤 ;
王加坤 .
中国专利 :CN119545893A ,2025-02-28
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
韩广涛 .
中国专利 :CN111584633A ,2020-08-25
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
彭康 ;
王维安 ;
杨宗凯 ;
陈信全 ;
王海萍 .
中国专利 :CN119132935B ,2025-03-14