一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210455774.8
申请日
2022-04-27
公开(公告)号
CN115036122B
公开(公告)日
2024-02-06
发明(设计)人
赵宇 胡金辉 涂元浩 雷建 卓宇 张其雪
申请人
杭州永磁集团有限公司
申请人地址
311201 浙江省杭州市萧山区宁围永磁工业园区
IPC主分类号
H01F41/02
IPC分类号
C22C1/02 G01R33/12 G01N21/84
代理机构
杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266
代理人
沈相权
法律状态
授权
国省代码
河南省 新乡市
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共 50 条
[1]
一种超低剩磁温度系数的衫钴磁体制备系统及试样方法 [P]. 
赵宇 ;
胡金辉 ;
涂元浩 ;
雷建 ;
卓宇 ;
张其雪 .
中国专利 :CN115036122A ,2022-09-09
[2]
一种低剩磁﹑低矫顽力温度系数钐钴磁体的制备方法 [P]. 
冒守栋 ;
沈定君 ;
蓬发成 ;
曾许多 ;
雷建忠 .
中国专利 :CN117410089A ,2024-01-16
[3]
低温度系数高使用温度烧结钐钴磁体的制备方法 [P]. 
宋奎奎 .
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[4]
一种烧结钐钴磁体制备方法 [P]. 
包小涛 ;
王晓松 ;
朱玲旭 ;
冯进 .
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[5]
一种高性能低矫顽力温度系数的钐钴磁体 [P]. 
杜清科 .
中国专利 :CN222126172U ,2024-12-06
[6]
一种同时优化2:17型钐钴烧结磁体方形度和剩磁温度系数的方法 [P]. 
岳明 ;
陇赞 ;
李玉卿 ;
吴琼 ;
张保国 ;
张超越 ;
李磊 ;
俞奇苗 .
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[7]
一种高性能低矫顽力温度系数的钐钴磁体 [P]. 
刘海珍 ;
徐道兵 ;
赵宇 ;
卓宇 ;
李欢 ;
胡金辉 ;
邓晓飞 .
中国专利 :CN215578006U ,2022-01-18
[8]
一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法 [P]. 
向俊尤 ;
俞奇苗 ;
李磊 ;
付勇兵 .
中国专利 :CN113436819A ,2021-09-24
[9]
一种具有低剩磁温度系数高温用钐钴永磁材料及制备方法 [P]. 
蒋成保 ;
张波 ;
张天丽 ;
刘敬华 .
中国专利 :CN107564645B ,2018-01-09
[10]
一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法 [P]. 
向俊尤 ;
俞奇苗 ;
李磊 ;
付勇兵 .
中国专利 :CN113436819B ,2024-12-03