存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010500009.4

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN112133704B

公开(公告)日：

2024-04-23

发明(设计)人：

C·豪德 C·E·卡特

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B41/20

IPC分类号：

H10B41/27 H10B43/20 H10B43/27

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法 [P].

C·豪德 ;

C·E·卡特 .

中国专利 :CN112133704A ,2020-12-25

[2]

存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

C·豪德 ;

C·E·卡特 .

美国专利 :CN112909006B ,2024-03-05

[3]

存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

C·豪德 ;

C·E·卡特 .

中国专利 :CN112909006A ,2021-06-04

[4]

存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法 [P].

D·戴寇克 ;

P·R·莫赫纳·劳 .

中国专利 :CN112216700A ,2021-01-12

[5]

存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法 [P].

S·古普塔 ;

N·考希克 ;

P·夏尔马 .

美国专利 :CN117730633A ,2024-03-19

[6]

存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法 [P].

D·戴寇克 ;

P·R·莫赫纳·劳 .

美国专利 :CN112216700B ,2024-10-29

[7]

存储器阵列及形成存储器阵列的方法 [P].

马蒂亚·博尼亚蒂 ;

安德烈亚·雷达埃利 .

中国专利 :CN106133840B ,2016-11-16

[8]

存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法 [P].

A·S·瓦达 ;

R·J·希尔 ;

A·M·洛 .

中国专利 :CN113345486A ,2021-09-03

[9]

存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法 [P].

H·N·贾殷 ;

罗双强 .

美国专利 :CN113206096B ,2024-03-22

[10]

存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法 [P].

A·S·瓦达 ;

R·J·希尔 ;

A·M·洛 .

美国专利 :CN113345486B ,2025-05-27

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