一种中压化成箔化成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410095280.2

申请日：

2024-01-24

公开(公告)号：

CN117612867B

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

李晓天陈小兵

申请人：

南通南辉电子材料股份有限公司

申请人地址：

226000 江苏省南通市经济技术开发区瑞兴路350号

IPC主分类号：

H01G9/048

IPC分类号：

H01G9/042 H01G9/055

代理机构：

南通方略纵横知识产权代理事务所(普通合伙) 32607

代理人：

施霞

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南通市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	公开	公开
2024-04-26	授权	授权
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01G 9/048申请日:20240124

共 50 条

[1]

一种中压化成箔化成方法 [P].

李晓天 ;

陈小兵 .

中国专利 :CN117612867A ,2024-02-27

[2]

一种中压化成箔 [P].

李晓天 ;

陈小兵 .

中国专利 :CN118571653B ,2024-11-19

[3]

一种中压化成箔 [P].

李晓天 ;

陈小兵 .

中国专利 :CN118571653A ,2024-08-30

[4]

一种高档位腐蚀箔化成的铝电解电容器用化成箔的化成工艺 [P].

胡利红 ;

艾凌飞 .

中国专利 :CN119964988A ,2025-05-09

[5]

一种中高压化成箔及其化成方法 [P].

杨小兵 ;

费新金 .

中国专利 :CN109778282A ,2019-05-21

[6]

电流屏蔽板、化成箔用化成装置及化成箔化成方法 [P].

罗爱文 ;

李俊赤 ;

林晓萍 .

中国专利 :CN113611548A ,2021-11-05

[7]

一种阳极箔化成方法 [P].

杨小飞 ;

陆宝琳 ;

杨林桑 .

中国专利 :CN110158137A ,2019-08-23

[8]

一种形成致密氧化膜的箔化成方法及化成箔 [P].

宋洪洲 ;

金彬书 .

中国专利 :CN119753784A ,2025-04-04

[9]

降低低压化成箔漏电流的化成方法 [P].

杨富国 ;

杨飞 ;

张玉红 .

中国专利 :CN107502937B ,2017-12-22

[10]

一种电极箔的化成方法 [P].

张世军 ;

罗正均 .

中国专利 :CN113990667A ,2022-01-28

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