形成集成电路及存储器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811613412.7

申请日：

2018-12-27

公开(公告)号：

CN110034121B

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

迈克尔·瓦奥莱特弗拉迪米尔·米哈廖夫

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/20 H10B43/35 H10B43/20

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20181227授权公告日:20240220原专利权期满终止日:20381227现专利权期满终止日:20400220
2024-02-20	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法 [P].

R·A·本森 .

美国专利 :CN114863966B ,2025-12-02

[2]

集成电路、存储器电路、用于形成集成电路及形成存储器电路的方法 [P].

R·A·本森 .

中国专利 :CN114863966A ,2022-08-05

[3]

集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法 [P].

V·奈尔 ;

S·博尔萨里 ;

R·L·迈耶 ;

R·A·本森 ;

李宜芳 .

中国专利 :CN114334835A ,2022-04-12

[4]

集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法 [P].

C·蒂瓦里 ;

J·K·琼斯拉曼 .

美国专利 :CN113555368B ,2024-04-16

[5]

集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法 [P].

C·蒂瓦里 ;

J·K·琼斯拉曼 .

中国专利 :CN113555368A ,2021-10-26

[6]

集成电路存储器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208819879U ,2019-05-03

[7]

制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器 [P].

金弘基 ;

李德炯 ;

催昌植 .

中国专利 :CN1139980C ,1999-12-01

[8]

集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493188A ,2018-09-04

[9]

集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110534517A ,2019-12-03

[10]

集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108461496A ,2018-08-28

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