用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110693956.4

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN113943321B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

李太荣池成俊白善英

申请人：

EGTM有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C07F9/00

IPC分类号：

C23C16/455

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张华

法律状态：

授权

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法 [P].

李太荣 ;

池成俊 ;

白善英 .

中国专利 :CN113943321A ,2022-01-18

[2]

用于薄膜沉积的第5族金属前体化合物及使用其形成含有第5族金属的薄膜的方法 [P].

崔雄辰 ;

李太荣 ;

金信范 ;

池成俊 ;

白善英 ;

郑主焕 ;

曺圭镐 .

韩国专利 :CN120813725A ,2025-10-17

[3]

用于薄膜沉积的有机锡化合物和用该化合物形成含锡薄膜的方法 [P].

沈樟根 ;

池成俊 ;

李太荣 ;

金信范 ;

白善英 ;

林泰焕 ;

李东均 ;

李尙炫 ;

千寿弼 .

中国专利 :CN115490720A ,2022-12-20

[4]

三烷基第VA族金属化合物 [P].

D·V·舍奈－卡特克哈特 ;

M·B·鲍尔 ;

A·阿曼奇安 .

中国专利 :CN1400214A ,2003-03-05

[5]

形成金属化合物薄膜的方法 [P].

何伟业 ;

胡宇慧 .

中国专利 :CN102383098A ,2012-03-21

[6]

新颖的第4族过渡金属化合物及其用途 [P].

郑义甲 ;

金东鈺 ;

金东昱 ;

金雅琳 ;

朴惠兰 ;

司空吉 ;

全成海 ;

李春宣 ;

黄恩英 .

中国专利 :CN106573941B ,2017-04-19

[7]

新颖的第4族过渡金属化合物及其用途 [P].

郑义甲 ;

司空吉 ;

全成海 ;

金东昱 ;

朴惠兰 ;

李仁鐏 .

中国专利 :CN107001500A ,2017-08-01

[8]

新颖的第4族过渡金属化合物及其用途 [P].

郑义甲 ;

司空吉 ;

全成海 ;

金东昱 ;

朴惠兰 ;

李仁鐏 .

中国专利 :CN107001394A ,2017-08-01

[9]

有机金属化合物、沉积薄膜的组合物、制造薄膜的方法、有机金属化合物薄膜及半导体装置 [P].

任相均 ;

朴景铃 ;

金容兑 ;

成太根 ;

吴釜根 ;

林雪熙 .

中国专利 :CN113087747A ,2021-07-09

[10]

(酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法 [P].

藤村整 ;

金户宏树 ;

白井昌志 ;

二瓶央 .

中国专利 :CN103313993A ,2013-09-18

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