学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
相变存储器的制造方法及相变存储器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011497011.7
申请日
:
2020-12-17
公开(公告)号
:
CN112614809B
公开(公告)日
:
2024-04-19
发明(设计)人
:
刘峻
高王荣
徐陈林
申请人
:
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址
:
430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
IPC主分类号
:
H01L21/768
IPC分类号
:
H01L23/544
H10B63/10
H10N70/00
H01L23/538
代理机构
:
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
:
刘恋;张颖玲
法律状态
:
授权
国省代码
:
河北省 石家庄市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-19
授权
授权
共 50 条
[1]
相变存储器的制造方法及相变存储器
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
;
高王荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高王荣
;
徐陈林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐陈林
.
中国专利
:CN112614809A
,2021-04-06
[2]
相变存储器以及相变存储器的制造方法
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
.
中国专利
:CN112234141B
,2021-01-15
[3]
相变存储器
[P].
P·古劳德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
P·古劳德
;
L·法韦内克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·法韦内克
.
中国专利
:CN115411180A
,2022-11-29
[4]
相变存储器
[P].
P·古劳德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
P·古劳德
;
L·法韦内克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
L·法韦内克
.
法国专利
:CN115411180B
,2025-11-28
[5]
相变存储器及相变存储器的制作方法
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
.
中国专利
:CN111816766B
,2020-10-23
[6]
相变存储器及相变存储器的制作方法
[P].
彭文林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
彭文林
;
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
;
杨海波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨海波
;
刘广宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘广宇
;
付志成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
付志成
.
中国专利
:CN113437213A
,2021-09-24
[7]
相变存储器及相变存储器的制作方法
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
.
中国专利
:CN112018239A
,2020-12-01
[8]
相变存储器制造方法
[P].
何有丰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何有丰
.
中国专利
:CN102487068A
,2012-06-06
[9]
相变存储器及相变存储器的制作方法
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
.
中国专利
:CN112271254A
,2021-01-26
[10]
相变存储器制造方法
[P].
何有丰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何有丰
;
涂火金
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
涂火金
.
中国专利
:CN102479921A
,2012-05-30
←
1
2
3
4
5
→