相变存储器的制造方法及相变存储器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011497011.7
申请日
2020-12-17
公开(公告)号
CN112614809B
公开(公告)日
2024-04-19
发明(设计)人
刘峻 高王荣 徐陈林
申请人
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址
430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/544 H10B63/10 H10N70/00 H01L23/538
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
刘恋;张颖玲
法律状态
授权
国省代码
河北省 石家庄市
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共 50 条
[1]
相变存储器的制造方法及相变存储器 [P]. 
刘峻 ;
高王荣 ;
徐陈林 .
中国专利 :CN112614809A ,2021-04-06
[2]
相变存储器以及相变存储器的制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112234141B ,2021-01-15
[3]
相变存储器 [P]. 
P·古劳德 ;
L·法韦内克 .
中国专利 :CN115411180A ,2022-11-29
[4]
相变存储器 [P]. 
P·古劳德 ;
L·法韦内克 .
法国专利 :CN115411180B ,2025-11-28
[5]
相变存储器及相变存储器的制作方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN111816766B ,2020-10-23
[6]
相变存储器及相变存储器的制作方法 [P]. 
彭文林 ;
刘峻 ;
杨海波 ;
刘广宇 ;
付志成 .
中国专利 :CN113437213A ,2021-09-24
[7]
相变存储器及相变存储器的制作方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112018239A ,2020-12-01
[8]
相变存储器制造方法 [P]. 
何有丰 .
中国专利 :CN102487068A ,2012-06-06
[9]
相变存储器及相变存储器的制作方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112271254A ,2021-01-26
[10]
相变存储器制造方法 [P]. 
何有丰 ;
涂火金 .
中国专利 :CN102479921A ,2012-05-30