静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311254682.4

申请日：

2023-09-26

公开(公告)号：

CN117452082A

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

杨明达李怡蓁林骏璇

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

G01R29/12

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	公开	公开
2024-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 29/12申请日:20230926

共 50 条

[1]

一种静电场电场强度测量装置及方法 [P].

唐立军 ;

杨家全 ;

周年荣 ;

段军鹏 ;

袁兴宇 ;

杨寿源 ;

李孟阳 ;

杨春欢 ;

王荣福 .

中国专利 :CN109061324B ,2018-12-21

[2]

静电场测量装置以及静电场测量方法 [P].

谭向宇 ;

徐肖伟 ;

李文云 ;

洪志湖 ;

彭兆裕 ;

张文斌 .

中国专利 :CN117471193A ,2024-01-30

[3]

静电场处理方法、静电场处理装置以及所用电极 [P].

伊东昭典 .

中国专利 :CN1225558A ,1999-08-11

[4]

静电场强度量测设备及检测设备 [P].

杨明达 ;

林骏璿 ;

李怡蓁 .

中国专利 :CN223551806U ,2025-11-14

[5]

静电场处理种子方法 [P].

白希尧 ;

阎立 .

中国专利 :CN1031168A ,1989-02-22

[6]

可提高静电场强度的阴极线 [P].

张永安 ;

张国志 ;

邓继海 .

中国专利 :CN204261815U ,2015-04-15

[7]

可提高静电场强度的阴极线 [P].

张永安 ;

张国志 ;

邓继海 .

中国专利 :CN104511372A ,2015-04-15

[8]

测量电场强度的系统和方法 [P].

佐佐木健司 ;

永井雅明 .

中国专利 :CN1168473A ,1997-12-24

[9]

电场强度测量装置及其测量方法 [P].

章逸舟 ;

傅振海 ;

石云杰 ;

陈志明 ;

郑毅 ;

王颖颖 ;

何沛彤 ;

朱绍冲 ;

徐晋升 ;

胡慧珠 ;

高晓文 .

中国专利 :CN117665404A ,2024-03-08

[10]

电场强度测量传感器及包括其的电场强度测量装置 [P].

徐翀 ;

徐锦星 ;

于杰 ;

吴晓康 .

中国专利 :CN110554251A ,2019-12-10

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