一种CdZnTe探测器模型及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410302984.2

申请日：

2024-03-18

公开(公告)号：

CN118036327A

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

索智伟闵嘉华

申请人：

上海大学

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

G06F30/20

IPC分类号：

代理机构：

郑州恒嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 41240

代理人：

严静

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	公开	公开
2024-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/20申请日:20240318

共 50 条

[1]

一种CdZnTe辐射探测器 [P].

胡海帆 ;

秦秀波 ;

赵宏鸣 ;

刘鹏浩 ;

李志垚 ;

马喆 ;

毛磊 .

中国专利 :CN113140642A ,2021-07-20

[2]

一种CdZnTe辐射探测器 [P].

胡海帆 ;

秦秀波 ;

刘鹏浩 ;

赵宏鸣 ;

李志垚 ;

马喆 ;

毛磊 .

中国专利 :CN113140643A ,2021-07-20

[3]

一种CdZnTe辐射探测器 [P].

胡海帆 ;

秦秀波 ;

刘鹏浩 ;

赵宏鸣 ;

李志垚 ;

马喆 ;

毛磊 .

中国专利 :CN113140643B ,2025-06-10

[4]

条形电极结构的电流型CdZnTe探测器及其制备方法 [P].

徐亚东 ;

杨皓 ;

王子健 ;

张鑫 ;

孙晗 .

中国专利 :CN113113508A ,2021-07-13

[5]

一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法 [P].

黎淼 ;

王巍 ;

樊琦 ;

赵汝法 ;

霍军 .

中国专利 :CN112083470A ,2020-12-15

[6]

一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺 [P].

孟欣 ;

郝晓勇 ;

张凯 ;

刘洋 ;

何高魁 ;

陈国柱 .

中国专利 :CN103094405A ,2013-05-08

[7]

CdZnTe平面探测器表面处理方法 [P].

介万奇 ;

侯文欣 ;

王涛 ;

查钢强 ;

徐凌燕 .

中国专利 :CN107123698A ,2017-09-01

[8]

提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法 [P].

万鑫 ;

查钢强 ;

李阳 ;

曹昆 ;

刘雅洁 ;

魏鹤鸣 ;

李颖锐 .

中国专利 :CN113644149A ,2021-11-12

[9]

一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器 [P].

查钢强 ;

苏炜婷 ;

武蕊 ;

李啸航 ;

李颖锐 ;

康阳 ;

魏登科 ;

范东海 .

中国专利 :CN118588778B ,2024-10-22

[10]

一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器 [P].

查钢强 ;

苏炜婷 ;

武蕊 ;

李啸航 ;

李颖锐 ;

康阳 ;

魏登科 ;

范东海 .

中国专利 :CN118588778A ,2024-09-03

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