一种单层正性光刻胶光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311098968.8

申请日：

2023-08-29

公开(公告)号：

CN117031889B

公开(公告)日：

2024-04-02

发明(设计)人：

冷祥李海波刘刚

申请人：

无锡市华辰芯光半导体科技有限公司

申请人地址：

214115 江苏省无锡市新吴区震泽路18-3号射手座A座5楼502室

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/16 G03F7/42

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

朱惠琴

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	授权	授权
2025-03-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):G03F 7/20登记生效日:20250303变更事项:专利权人变更前权利人:无锡市华辰芯光半导体科技有限公司变更后权利人:华辰芯光（无锡）半导体有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:214115 江苏省无锡市新吴区震泽路18-3号射手座A座5楼502室变更后权利人:214111 江苏省无锡市新吴区锡梅路111-10号

共 50 条

[1]

正性光刻胶 [P].

徐亮 ;

季昌彬 .

中国专利 :CN107728427A ,2018-02-23

[2]

正性光刻胶 [P].

唐谦 ;

M·劳斯 .

中国专利 :CN1075638C ,1996-04-24

[3]

一种厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法 [P].

相可创 ;

岳爽 ;

吴京玮 .

中国专利 :CN117784524A ,2024-03-29

[4]

一种正性光刻胶 [P].

张宁 ;

李杨 ;

卢克军 ;

朴大然 ;

张腾 ;

刘洪雷 ;

胡凡华 ;

张博文 .

中国专利 :CN120428518A ,2025-08-05

[5]

一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法 [P].

陈谷然 ;

王雯 ;

任春江 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN103293850A ,2013-09-11

[6]

一种基于正性光刻胶的光刻方法 [P].

伊翔 ;

邹丽丽 ;

陈龙胜 .

中国专利 :CN112433444A ,2021-03-02

[7]

正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN114460810A ,2022-05-10

[8]

一种紫外正性光刻胶 [P].

宋振 ;

杨志锋 ;

黄顺礼 ;

陆煜东 ;

郑安丽 ;

许振良 ;

林柳武 .

中国专利 :CN109062008B ,2018-12-21

[9]

正性光刻胶储存装置 [P].

俞灏洋 .

中国专利 :CN215324265U ,2021-12-28

[10]

一种正性光刻胶设备 [P].

王震宇 .

中国专利 :CN215494541U ,2022-01-11

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