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一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410405708.9
申请日：
2024-04-07
公开(公告)号：
CN117991525A
公开(公告)日：
2024-05-07
发明(设计)人：
李甲 岳夫永 王磊 李志远
申请人：
鹏城实验室 华南理工大学
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区兴科一街2号
IPC主分类号：
G02F1/03
IPC分类号：
G02F1/035
代理机构：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人：
李俊杰
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-07 公开 公开
2024-05-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20240407
2024-06-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991525B ,2024-06-18
[2]
一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991526B ,2024-06-18
[3]
一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991526A ,2024-05-07
[4]
一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991524A ,2024-05-07
[5]
一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991524B ,2024-07-30
[6]
一种推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN118131514A ,2024-06-04
[7]
一种极简推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN118151416A ,2024-06-07
[8]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[9]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17
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