一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322241477.6

申请日：

2023-08-18

公开(公告)号：

CN220692030U

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

单亚东胡丹谢刚

申请人：

广微集成技术（深圳）有限公司

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新南6道6号迈科龙大厦6A02

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

焉明涛

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件 [P].

单亚东 ;

胡丹 ;

谢刚 .

中国专利 :CN221447179U ,2024-07-30

[2]

屏蔽栅沟槽器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN215644506U ,2022-01-25

[3]

一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件及其制备方法 [P].

单亚东 ;

胡丹 ;

谢刚 .

中国专利 :CN117293180B ,2025-12-09

[4]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[5]

一种屏蔽栅VDMOS器件 [P].

任敏 ;

罗蕾 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN107482056A ,2017-12-15

[6]

沟槽栅VDMOS器件及其制备方法 [P].

方冬 ;

肖魁 .

中国专利 :CN113690299A ,2021-11-23

[7]

沟槽栅VDMOS器件及其制备方法 [P].

方冬 ;

肖魁 .

中国专利 :CN113690299B ,2024-02-09

[8]

具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件 [P].

李哲锋 ;

许生根 ;

姜梅 .

中国专利 :CN208460767U ,2019-02-01

[9]

沟槽型屏蔽栅器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN216161742U ,2022-04-01

[10]

屏蔽栅沟槽器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN215183981U ,2021-12-14

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